一、產(chǎn)品描述

MFLPECVD408-12是一款PECVD系統(tǒng)的管式爐系統(tǒng)。由真空管式爐、射頻電源、供氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)組成。  最高溫度可以達(dá)到1200度，采用30段程序溫控儀表，K型熱電偶，爐膛為高純氧化鋁陶瓷纖維,此設(shè)備可用于生長納米線或用CVD方法制備各種薄膜。

二、產(chǎn)品特點(diǎn)

• 1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。

• 2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低

• 3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小

• 4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。

• 5、廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。

• 
  

二、技術(shù)參數(shù)

注：管徑可選：50/60/80/100/120/150/200/300 mm  ,

       溫區(qū)可以做雙溫區(qū)，三溫區(qū)等多溫區(qū)，

       請聯(lián)系客服

注：管徑可選：50/60/80/100/120/150/200/300 mm  ,

       溫區(qū)可以做雙溫區(qū)，三溫區(qū)等多溫區(qū)，

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標(biāo)配清單：

可選配：

一、售后服務(wù)

          品質(zhì)保證：一年保修，終身技術(shù)支持。（特別提示，耗材部分如加熱元件、樣品坩堝等不在保修范圍內(nèi)因使用腐蝕性氣體造成的損害不在保修范圍內(nèi)）

二、注意事項(xiàng)     

           1.爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa

          2.由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時(shí)，氣瓶上必須安裝減壓閥，為了確保安全，建議使用壓力低于0.02MPa

          3.當(dāng)爐體溫度高于1000℃時(shí)，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng)

          4.對于樣品加熱的實(shí)驗(yàn)，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱，則需時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開排氣閥，以防意外發(fā)生（如爐 管破裂，法蘭飛出等）